นักวิทยาศาสตร์ไอบีเอ็ม (IBM) มาโครนิกซ์ (Macronix) และควิมอนดา (Qimonda) เปิดตัวหน่วยความจำเฟส-เชนจ์ภายใต้การพัฒนาของทั้งสามบริษัท ซึ่งอ้างว่ามีความเร็วมากกว่าแฟลชเมมโมรี่ถึง 500 - 1,000 เท่า แต่ใช้พลังงานน้อยกว่าถึง 50 เปอร์เซ็นต์
       
       "คุณสามารถทำงานต่าง ๆ กับหน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์ได้มากมายอย่างที่ไม่เคยทำได้กับแฟลชเมมโมรี่มาก่อน" สไปค์ นารายาน (Spike Narayan) ผู้จัดการอาวุโสฝ่าย Nanoscale Science ของไอบีเอ็มกล่าว
       
       การค้นพบหน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์ (Phase-Change memory : PCM) หรือ PRAM นี้ช่วยให้อุตสาหกรรมไอทีและอิเล็กทรอนิกส์สามารถพัฒนาอุปกรณ์รุ่นใหม่ ๆ ออกมาตอบสนองความต้องการของตลาดได้อย่างต่อเนื่อง โดยคงคอนเซ็ปต์ว่า ผู้บริโภคต้องการอุปกรณ์ที่มีขนาดเล็กและประสิทธิภาพสูงเอาไว้ได้ และอาจทำให้หน่วยความจำชนิดดังกล่าวกลายเป็นเทคโนโลยีที่ใช้กันแพร่หลายในอนาคตด้วย ซึ่งเมื่อเทียบความเป็นไปได้ระหว่างหน่วยความจำเฟส-เชนจ์กับหน่วยความจำแบบแฟลชแล้วจะพบว่า แฟลชเดินมาเกือบถึงทางตันแล้ว โดยจะพบกับปัญหาในเรื่องการขยายความจุ ซึ่งในอนาคตอันใกล้ อาจถึงเวลาโอนถ่ายเทคโนโลยีไปสู่หน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์แล้วก็เป็นได้
       
       สำหรับโลกของอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์ในปัจจุบันได้แบ่งหน่วยความจำตามลักษณะการเก็บข้อมูลออกเป็นสองประเภทใหญ่ ๆ ได้แก่ หน่วยความจำที่ต้องใช้กระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงในการเก็บข้อมูล หรือเรียกว่าเป็นแบบ "volatile" ซึ่งจะมีความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลสูง ปัจจุบันใช้อยู่ในคอมพิวเตอร์ทั่วไป (SRAM และ DRAM) กับแบบที่ไม่จำเป็นต้องใช้กระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงหรือ "non-volatile" ซึ่งทางผู้ผลิตได้นำมาประยุกต์เป็นหน่วยความจำแบบแฟลชที่เรียกกันติดปากว่า ธัมป์ไดรว์ หรือแฮนดี้ไดรว์ อุปกรณ์เก็บข้อมูลสุดฮิตอยู่ในขณะนี้นั่นเอง
       
       หน่วยความจำเฟส-เชนจ์จัดว่าเป็นหน่วยความจำที่ไม่ต้องอาศัยกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงด้วยเหมือนกัน ดังนั้นจึงช่วยประหยัดไฟฟ้าได้มากกว่า และหน่วยความจำเฟส-เชนจ์ถูกจัดอยู่ในเทรนด์ของหน่วยความจำที่จะถูกนำมาใช้งานในอนาคตด้วย
       

       การศึกษาเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์นี้ได้เริ่มขึ้นมาตั้งแต่ช่วงปี 2004 - 2005 โดยมีบริษัทยักษ์ใหญ่หลายแห่งให้ความสนใจ ยกตัวอย่างเช่น ฟิลิปส์ ซัมซุง ฮิตาชิ และอินเทล ส่วนการพัฒนาอุปกรณ์สำหรับหน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์นี้ เริ่มมีปรากฏออกมาให้เห็นมากขึ้น ตั้งแต่ช่วงปี 2000 เป็นต้นมา
       
       "ด้วยศักยภาพของหน่วยความจำแบบเฟส-เชนจ์ ทำให้มันสามารถเป็นคำตอบสำหรับอนาคตของวงการหน่วยความจำได้" นายนารายานกล่าว อย่างไรก็ดี ทางไอบีเอ็มไม่ได้มีการเปิดเผยถึงการผลิตหน่วยความจำเฟส-เชนจ์ในเชิงพาณิชย์ของบริษัทแต่อย่างใด
       
       ความก้าวหน้าของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ใช้ในคอมพิวเตอร์มีส่วนทำให้ผู้ผลิตอุปกรณ์ดิจิตอลอื่น ๆ เช่น เครื่องเล่นเอ็มพีสาม กล้องดิจิตอล ได้รับอานิสงค์ของความก้าวหน้าไปใช้พัฒนาอุปกรณ์ของตนเองเป็นอย่างดี ดังจะเห็นได้จาก หน่วยความจำที่ใช้ในกล้องดิจิตอลปัจจุบันเป็นหน่วยความจำแบบแฟลช ซึ่งรองรับการเก็บภาพได้เป็นจำนวนมาก